检测项目
层错密度测量：检测范围0.1-104 cm-2，分辨率±0.05 cm-2
层错能计算：基于弹性常数测定，误差范围≤5%
层错分布形态分析：表征局部层错宽度（0.1-10 nm）及延伸方向
晶体取向相关性：取向偏差角测量精度±0.1°
层错热稳定性测试：温度范围20-1200℃，控温精度±1℃
检测范围
金属合金：包括不锈钢（316L/304）、镍基高温合金（Inconel 718）、钛合金（Ti-6Al-4V）
半导体材料：单晶硅（Si）、砷化镓（GaAs）、碳化硅（4H-SiC）
陶瓷材料：氧化铝（Al2O3）、氮化硅（Si3N4）
高分子复合材料：聚酰亚胺/碳纤维增强体系
纳米材料：二维材料（石墨烯、MoS2）及金属纳米线
检测方法
ASTM E112-13：晶粒度测定中间接评估层错密度
ISO 643:2020：X射线衍射线形分析法测定层错概率
GB/T 13305-2008：不锈钢中α'相含量测定（关联层错诱导相变）
GB/T 19501-2013：电子背散射衍射（EBSD）技术规范
ISO 22262-2:2014：扫描电镜（SEM）与能谱联用表征层错分布
检测设备
透射电镜：JEOL JEM-ARM200F（球差校正，点分辨率0.08 nm，层错面指数标定）
X射线衍射仪：Bruker D8 ADVANCE（Cu靶Kα辐射，2θ角精度±0.0001°）
聚焦离子束系统：Thermo Scientific Helios G4 UX（定位切割精度±5 nm，TEM样品制备）
电子背散射衍射仪：Oxford Instruments Symmetry S2（空间分辨率10 nm，晶界/层错关联分析）
原子探针层析仪：CAMECA LEAP 5000XR（三维原子重构，层错区域成分偏析检测）
北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】
报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期：7~15工作日，可加急。
资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试：支持定制化试验方案。
售后：报告终身可查，工程师1v1服务。
